手機客戶端
銷邦服務號
PDF格式
Excel格式
Word格式
? (略) 信息
采購單號：
HSZC1705CG ***
招標編號：
*** C ***
發布日期：
***
截止日期：
***
招標標題：
物理 (略) 采購原子層沉積系統及多角度單波長橢圓偏振儀
招標說明：
開標日期：
***
評標日期：
***
招標機構：
(略) 有限公司
序號
物資/服務名稱
物資/服務專業名稱、品牌型號
配置說明(使用功能、技術參數、售后服務)
單位
數量
1
原子層沉積系統
LabNano 9100
一．使用環境要求 1溫度：室溫 2相對濕度：小于60％ 3電源：50－6 0Hz， 220V ／15A 二． 設備組成 1最大直徑6英寸（150毫米）基片尺寸的原子層沉積系統，包括6路前驅體源輸運系統； 2電控系統：PLC沉積自動控制系統； 3操作軟件： 便于操作的沉積程序控制軟件； 4真空機械泵與相關管路等； 5臭氧發生器系統，包括相關管路閥門；臭氧裂解器附件等。 三． 技術參數： 1 反應腔： 反應腔體為不銹鋼材質。可以生長約6英寸樣品的腔體，氮氣保護的雙O－Ring高溫密封系統，需有效隔絕其他氣體滲漏。基底加熱溫度應在RT～400℃可控，控制精度為±1℃。腔體烘烤溫度應在RT～200℃可控，控制精度±1℃。反應腔內應具有可拆卸更換擋版以方便維護。 2沉積模式： 包括以下2種工作模式：高速沉積的連續模式，沉積超高寬深比結構的停流模式。 3前驅體源輸運系統： 提供6路前驅體源，一路為常溫源，可接水和臭氧／氨氣／H2S等氣體；另5路為加熱源，加熱溫度RT～200℃可控，控制精度為±1℃。加熱源配備耐高溫手動閥，以及前驅體源瓶體積50cc。 4前驅體管路： 所有前 (略) 不銹鋼EP級管路，所有管路加熱溫度RT～150℃可控。管路腔體清洗維護簡便，設備具有＂自動清洗＂的功能，要求在沉積前與沉 (略) ＂＂自動清洗＂程序，清洗管路，保護ALD閥門。 5 ALD閥： 每一路前驅體需配置一個原子層沉積專用高速高溫ALD閥，ALD閥加熱溫度RT～150℃可控。ALD閥最小脈沖時間～10msec。 6載氣系統： 運載氣體為N2，配備質量流量計，流量在0～50sccm可控。 7真空規： 愛德華寬范圍真空規測量范圍在10E－4Torr～10E＋3Torr之間。 8排氣管路： 排氣管路加熱溫度在RT～150℃可控；配置截止閥一個，加熱溫度RT～150℃可控。 9控制硬件：控制硬件： 采用PLC＋PC控制系統，保證設備長 (略) ；硬件控制系統具備1毫秒前驅體脈沖時間的精確分辨控制能力，每一前驅 (略) 對應的壓強值重復在同一個水平上，保證進入反應腔的前驅體的量精確可控。 10控制軟件： Windows下的專用全自動控制軟件，全自動控制加熱、 (略) 沉積過程，以及溫度、壓強等實時監控。全部沉積過程（從開始到結束，包括突發的停機）的 (略) 記錄，自動生成日志文件，每個脈沖曲線都可以顯示回放。 11安全措施： 系統具備多重（軟件、PLC、硬件）安全互鎖機制保證使用過程安全。所有密封接頭包括閥門等須采用VCR金屬密封接頭；具備急停按鈕用于應對緊急情況，一鍵 (略) ； (略) 輸出互鎖以及軟件互鎖，雙重保護防止ALD閥門同時打開引起的管路污染和劇烈的化學反應危害； PLC、硬件、軟件三重保護，防止加熱元件超溫 (略) 導致的安全問題；雙O－Ring氮氣保護的高溫密封系統，防止有害前驅體泄露，同時防止大氣的滲入，提高生長純度；腔體內過壓保護設置，腔體內壓力超過設定閾值ALD閥門自動，沉積停止，防止腔體內前驅體的外泄；需配備各類國際標準的警示標識，提醒用戶安全使用設備；產品通過歐盟機構的CE認證。 12臭氧系統： 需配置高濃度臭氧發生器，包括管路閥門，裂解器附件。最高產量＞7g／h，最大濃度＞3．5％（w／w）。 13真空機械泵系統： 需采用惰性泵油的機械泵系統，抽速1．5 L／s。 14工藝要求： （1）TMA （三甲基鋁） ＋ H2O Al2O3生長速率為每單次循環生長厚度1．2?，均勻性保證優于±1％ 生長溫度120℃；200℃；250℃；300℃ (略) 對應的單次循環時間須于40秒；15秒；10秒；6秒。 （2）TMA （三甲基鋁） ＋ O3 Al2O3生長速率為每單次循環生長厚度1．2 ?，均勻性保證優于± 1％生長溫度250℃；所對應的單次循環時間低于13秒。 在保證以上薄膜質量的前提下，前驅體TMA的脈沖時間不超過0．02秒。 15驗收指標 廠家須提供標準的工藝配方，在滿足第14條工藝要求的同時，按 (略) 制備與驗收：（1）Al2O3 均勻性 ≤＋／?1％ （2）在4－6英寸晶圓上沉積100nm，取5個不同點（上、下、左、右、中心）進行測試，計算厚度標準偏差。 在保證以上薄膜質量的前提下，前驅體TMA的脈沖時間不得超過0．02秒（3）測量方法：橢偏儀。
臺
1
2
多角度單波長橢圓偏振儀
EllipNano－9000
主要技術參數：波長光源： 632．8nm（氦氖激光器）入射角范圍： 20－90度（手動每5度間隔）樣品臺： ?110 mm （可選配三維樣品臺）測量模式： 反射測量方式： 自動完成信號測量膜厚精度： ±0．5nm （薄膜厚度在10－100nm時）系統定標方式： 自洽、絕對定標。電腦連接方式： PCI 主要用途： 1．各種功能材料的光學常數測量和光譜學特性分析； 2．測量薄膜材料的折射率和厚度； 測量對象包括：金屬、半導體、超導體、絕緣體、非晶體、超晶格、磁性材料、光電材料、非線性材料；測量光學常數：復折 (略) 、復介電 (略) 、吸收系數a、反射率R．
臺
1
附件：沒有附件
剩余會員時長將自動延長
掃描添加客服微信
暫無歷史郵箱
使用微信掃一掃關注
“銷邦招標”
微信公眾號
掃碼下載APP
京公網安備 11010802042560號
京ICP備16047275號-1
