MRAM存內(nèi)計(jì)算芯片流片服務(wù)采購項(xiàng)目 | |
項(xiàng)目所在采購意向: | zycgr*年1至12月政府采購意向 |
采購單位: | zycgr* |
采購項(xiàng)目名稱: | MRAM存內(nèi)計(jì)算芯片流片服務(wù)采購項(xiàng)目 |
預(yù)算金額: | 800.*萬元(人民幣) |
采購品目: | C*電子、通信與自動(dòng)控制技術(shù)研究服務(wù) |
采購需求概況 : | 擬采購MRAM存內(nèi)計(jì)算芯片流片服務(wù)。該服務(wù)要求前道(CMOS邏輯部分)使用40nm或以下標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝,12英寸晶圓工藝平臺(tái);能夠進(jìn)行與前道CMOS邏輯工藝兼容的自旋轉(zhuǎn)移矩磁存儲(chǔ)器(STT-MRAM)器件制備,提供單個(gè)MTJ的模型與版圖,支持位單元(bit-cell)級(jí)磁存儲(chǔ)陣列設(shè)計(jì);磁隧道結(jié)(MTJ)隧道磁阻(TMR)≥150%;提供芯片設(shè)計(jì)所需最新IP庫文件、前道工藝的PDK文件、后道工藝的PDK文件、版圖金屬填充文件等; 接受GDS文件,并對版圖和相關(guān)文件進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則復(fù)查;完成MRAM存內(nèi)計(jì)算芯片GDS文件中包含的多個(gè)芯片設(shè)計(jì)的流片,芯片流片滿足采購方任務(wù)要求。 |
預(yù)計(jì)采購時(shí)間: | 2023-02 |
備注: |
本次公開的采購意向是本單位政府采購工作的初步安排,具體采購項(xiàng)目情況以相關(guān)采購公告和采購文件為準(zhǔn)。
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“銷邦招標(biāo)”