A* 真空應用設備

南京大學擬采購自旋材料超高真空磁控濺射設備一套，要求：1.具有兩個沉積工藝腔室，每個沉積腔集成至少6個3英寸可原位偏轉超高真空共濺射靶槍，并預留1個3英寸正濺射靶槍接口。所有靶槍均采用稀土磁鐵，磁鐵和冷卻水隔離；所有靶槍可以承受200℃烘烤和10-11 Torr真空；2.電動控制連續旋轉樣品臺，旋轉速率控范圍為0~20rpm，樣品臺上基片最高加熱溫度800℃，PID溫控精度±1℃，具有射頻偏壓功能；3.在6英寸（去除邊緣5mm）的基片范圍內薄膜沉積均勻性可達到±1.5%；4.主腔體極限真空優于6.75x10-9 Torr，采用下游壓力控制并配1000位閥門。質保期：1年。