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為便于供應商及時了解政府采購信息， 根據《財政部關于開展政府采購意向公開工作的通知》 （財庫〔2020〕10號）等有關規定，現將南京大學2024年政府采購意向公開（第28批）政府采購意向公開如下：
| 序號 | 采購項目名稱 | 意向編號 | 采購品目 | 采購需求概況 | 預算金額(萬元) | 預計采購日期 | 備注 |
| 1 | 南京大學鼓樓校區報警中心改造 | * | A* LED 顯示屏,A* 通用攝像機,A* 服務器 | 本項目采購內容為改造鼓樓校區報警中心，需新建LED大屏；擴容云存儲系統，滿足關鍵部位90天存儲需求；在校園內新增攝像機，實現夜間全彩效果。 | 420 | 2024年08月 | |
| 2 | 南京大學2024-2025年度日常維修工程 | * | B* 房屋修繕 | 本項目為南京大學仙林校區、鼓樓校區以及浦口校區校舍日常維修工程、文物建筑日常維修工程、玻璃更換及幕墻日常維修工程、室外設施日常維修工程、防水日常維修工程、日常維修水電保障工程土建施工配合、電力設施設備維修保障和故障應急搶修工程等施工及保修。 | 3000 | 2024年08月 | |
| 3 | 南京大學仙林校區學生宿舍二組團淋浴間改造 | * | A* 淋浴房 | 南京大學仙林校區學生宿舍二組團淋浴間改造包括約5080平方米隔斷的更新，舊隔斷的拆除及新隔斷的采購、安裝、調試等。 | 276.7 | 2024年08月 | |
| 4 | 南京大學鼓樓校區四號開閉所建設（部分高壓電纜敷設） | * | B* 其他電力系統安裝 | 南京大學鼓樓校區四號開閉所建設（部分高壓電纜敷設），施工內容主要包 (略) 內約1400米10kV400高壓電纜敷設、調試送電及保修。 | 160 | 2024年08月 | |
| 5 | 激光掃描共聚焦顯微鏡 | * | A* 顯微鏡 | 南京大學擬采購激光掃描共聚焦顯微鏡一套，主要用于組織切片、生物材料熒光標記、活細胞熒光標記的高空間分辨率成像。主要參數要求如下：不少于四個獨立的高靈敏度熒光檢測器，全固態激光器≥5根，光譜檢測范圍≥400-900nm。質保≥1年。 | 210 | 2024年10月 | |
| 6 | PECVD化學氣相沉積設備 | * | A* 半導體器件參數測量儀 | 南京大學擬采購PECVD化學氣相沉積設備一套，要求：8英寸、ICP 電源+反應區溫控系統、配 6 (略) 。質保期1年。 | 350 | 2024年10月 | |
| 7 | 磁控濺射薄膜沉積設備 | * | A* 磁式分析儀 | 南京大學擬采購磁控濺射薄膜沉積設備一套，要求：1. 襯底4英寸向下兼容；2. 6個2英寸靶槍；3. 濺射速率0.01nm/s-1nm/s; 4. 本底真空：8E-6 Torr; 5. 溫度：室溫-800℃；6. 轉速0-20RPM； 7. 包含進樣室。質保期1年。 | 155 | 2024年10月 | |
| 8 | low-k介質沉積設備 | * | A* 真空獲得設備 | 南京大學擬采購low-k介質沉積設備一套，要求：1. 極限真空低于5.0E-5Pa，恢復真空15分鐘之內達到2E-3Pa；2. 配置電子槍數量≥1，能夠蒸SiO2、Al2O3、MgF2等鍍膜材料；3. 射頻輔助等離子源1套，離子流密度分布均勻；4. 石英晶體膜厚控制系統1套 ；5. 光學膜厚儀1套，監控波長范圍350-1100nm，波長精度≤±1nm；基底最高加熱溫度：≥350℃，均勻性≤10℃。質保期1年。 | 250 | 2024年10月 | |
| 9 | ICP電感耦合等離子體刻蝕設備 | * | A* 半導體器件參數測量儀 | 南京大學擬采購ICP電感耦合等離子體刻蝕設備一套，要求：1. 腔室極限真空優于0.05mTorr，腔室漏氣率優于1mTorr/min，控壓范圍2mTorr~100mTorr，控壓精度±0.2mTorr；2. 片內/片間刻蝕不均勻性≤5%，極差法計算。質保期1年。 | 150 | 2024年10月 | |
| 10 | 超聲掃描顯微鏡 | * | A* 顯微鏡 | 南京大學擬采購超聲掃描顯微鏡一臺，要求：1.最大掃描速率： 1000mm/s； 2.掃描范圍：400mm x400mm； 3.掃描軸定位精度：X/Y軸± 0.5 μm； 4.采樣速率: 1G/s、1.5G/s、3G/s可選。質保期1年。 | 120 | 2024年10月 | |
| 11 | 真空互聯雙腔原子層沉積設備 | * | A* 真空獲得設備 | 南京大學擬采購真空互聯雙腔原子層沉積設備一套，要求：真空雙腔結構，最大可放置直徑 8 英寸晶圓； 6路液/固體 (略) +4 路氣體反應 (略) 。質保期1年。 | 600 | 2024年10月 | |
| 12 | 晶圓退火設備 | * | A* 真空應用設備 | 南京大學擬采購晶圓退火設備一套，要求：8英寸、最高1150度。質保期3年。 | 150 | 2024年10月 | |
| 13 | 真空退火設備 | * | A* 真空應用設備 | 南京大學擬采購真空退火設備一套，要求：最高1000度、4路氣體可選、配流量計。質保期3年。 | 100 | 2024年10月 | |
| 14 | 通用半導體刻蝕機 | * | A* 半導體器件參數測量儀 | 南京大學擬采購通用半導體刻蝕機一臺，要求：8英寸兼容、4路氣體、可加熱至不低于400攝氏度。質保期1年。 | 550 | 2024年10月 | |
| 15 | 高速誤碼儀 | * | A* 其他光通信設備 | 南京大學擬采購高速誤碼儀一臺，要求：1、支持NRZ、PAM4、PAM6、PAM8等調制格式；2、2-120GBaud速率覆蓋范圍3、具備FEC符號錯誤糾正功能。質保期：3年。 | 800 | 2024年11月 | |
| 16 | 寬帶任意波形發生器 | * | A* 聲源、聲振信號發生器 | 南京大學擬采購寬帶任意波形發生器一臺，要求：1.最高采樣速率：224G Sample/s；2.垂直分辨率：8Bit；3.輸出信號帶寬：最高65GHz；4.輸出幅度：400 MHz時最高到5V； 5.通道數：2，可以實現差分輸出，可升級為4通道。質保期：3年。 | 660 | 2024年11月 | |
| 17 | 原型驗證系統 | * | A* 半導體器件參數測量儀 | 南京大學擬采購原型驗證系統三套，要求：單機臺支持1.96億門設計容量，可靈活配置不同組合需求。質保期：1年。 | 450 | 2024年11月 | |
| 18 | DDR4/5控制器和PHY | * | A* 通信控制器 | 南京大學擬采購DDR4/5控制器和PHY一套，要求：1.預先集成的控制器和PHY；2. 支持DDR4/5，標準電壓支持5600Mbps，加壓支持6400Mbps，支持多種DIMM；3.支持DFI 5.1/5.0/4x；4.位寬最多支持80bit；5.支持DFS,最多4個頻率，支持低功耗模式；6.內嵌處理器支持靈活的訓練機制和初始化流程；7.支持管腳互換，BIST自測試等多種功能。質保期：1年。 | 500 | 2024年11月 | |
| 19 | PCIe5控制器 | * | A* 通信控制器 | 南京大學擬采購PCIe5控制器一套，要求：1.支持PCIe1/2/3/4/5；2.支持RP,EP兩種模式；3.支持PIPE4.4/5.2和Raw Interface；4.支持AXI和CHI總線接口。質保期：1年。 | 500 | 2024年11月 | |
| 20 | 步進式光刻機（0.18-0.35） | * | A* 半導體器件參數測量儀 | 南京大學擬采購步進式光刻機（0.18-0.35）一臺，要求：8英寸兼容、分辨率達到350nm及以下，對準精度小于75nm。質保期1年。 | 3366 | 2024年11月 | |
| 21 | 步進式光刻機涂膠顯影系統 | * | A* 半導體器件參數測量儀 | 南京大學擬采購步進式光刻機涂膠顯影系統一套，要求：8英寸，自動化，實現≥130nm的顯影工藝模組(8寸)； 可實現精準的周邊曝光功能，Spec:±0.1mm。質保期1年。 | 386 | 2024年11月 | |
| 22 | 超高真空雙腔互聯金屬鍍膜設備 | * | A* 真空應用設備 | 南京大學擬采購超高真空雙腔互聯金屬鍍膜設備一套，要求：8英寸、雙腔、10靶位、帶高真空過渡艙、真空度低于1E-9Torr。質保期1年。 | 772 | 2024年11月 | |
| 23 | RTP快速退火設備 | * | A* 真空應用設備 | 南京大學擬采購RTP快速退火設備一套，要求：最高1150度、8英寸兼容、升溫速率100度/s（<800度）、非接觸式溫度傳感。質保期1年。 | 144 | 2024年11月 | |
| 24 | 高k氧化物原子層沉積系統 | * | A* 真空獲得設備 | 南京大學擬采購高k氧化物原子層沉積系統一套，要求：8英寸兼容、6路前驅體、具備plasma功能、熱法兼容。質保期1年。 | 217 | 2024年11月 | |
| 25 | 選擇性原子層刻蝕系統 | * | A* 半導體器件參數測量儀 | 南京大學擬采購選擇性原子層刻蝕系統一套，要求：1.采用不銹鋼和進口鋁材制成，腔室直徑可放置8英寸晶圓；2.ICP電源和下電極電源，配備基片加熱系統；3. (略) (略) ，包 (略) ，以及耐 (略) 的防腐流量計；4.干泵+分子泵+粉塵過濾器，本底真空小于5E-6Torr，真空漏率小于5E-7 Pa·L/S；5.PLC+工控機自動控制系統；6.短軸距設計，包含預真空室和真空機械手，用于基片的傳輸。質保期1年。 | 217 | 2024年11月 | |
| 26 | 無圖形晶圓檢測設備 | * | A* 光學儀器檢測器具 | 南京大學擬采購無圖形晶圓檢測設備一套，要求：支持晶圓尺寸4’’/6’’/8’’；支持晶圓類型Bare SiC/SiC EPI；缺陷類型顆粒，劃痕，微管，凹坑，凸起，層錯，基平面位錯，三角形缺陷，掉落物缺陷，胡蘿卜缺陷，臺階聚并等；6’’檢測效率＞20WPH (標準分辨率)；暗場DF光源波長320~330nm Laser靈敏度≤100 nm；明場DIC光源波長370~380nm Laser靈敏度≤ 3 nm；熒光PL激發光源320~330nm/370~380nm Laser；收集波長：可同時探測近紅外、近紫外、可見光等多波段。質保期1年。 | 600 | 2024年11月 | |
| 27 | 自旋材料超高真空磁控濺射設備 | * | A* 真空應用設備 | 南京大學擬采購自旋材料超高真空磁控濺射設備一套，要求：1.具有兩個沉積工藝腔室，每個沉積腔集成至少6個3英寸可原位偏轉超高真空共濺射靶槍，并預留1個3英寸正濺射靶槍接口。所有靶槍均采用稀土磁鐵，磁鐵和冷卻水隔離；所有靶槍可以承受200℃烘烤和10-11 Torr真空；2.電動控制連續旋轉樣品臺，旋轉速率控范圍為0~20rpm，樣品臺上基片最高加熱溫度800℃，PID溫控精度±1℃，具有射頻偏壓功能；3.在6英寸（去除邊緣5mm）的基片范圍內薄膜沉積均勻性可達到±1.5%；4.主腔體極限真空優于6.75x10-9 Torr，采用下游壓力控制并配1000位閥門。質保期：1年。 | 1450 | 2024年11月 | |
| 28 | 隧穿磁電阻比率測量儀 | * | A* 磁式分析儀 | 南京大學擬采購隧穿磁電阻比率測量儀一臺，要求：1.范圍25mm，分辨率 50nm，卡盤可容納150 x 150mm的樣品；2.分辨率±0.1mm ；3.樣品尺寸150 x 150mm，探針工作區域150 x 150mm；4.磁場強度± 60mT ，均勻性< 1% ，設定分辨率0.1%。質保期：1年。 | 220 | 2024年11月 | |
| 29 | 振動樣品磁強計 | * | A* 磁式分析儀 | 南京大學擬采購振動樣品磁強計一臺，要求：1.室溫下的最大場強：＞2.6T，室溫磁性測試靈敏度：5X10-8emu，數據采集速率：10 ms/點;磁場分辨率：1m0e；2.磁場變化率* 0e/s；磁矩穩定性：全量程的±0.05%/天；3.電磁體電源需采用水冷模式，電磁體電源要求采用雙極四相限電源；4.電磁鐵控制電源調制響應：≤0.17Hz(在±70A正弦波正常負載)，具有DC和AC模式。質保期：1年。 | 144 | 2024年11月 | |
| 30 | IBE離子束刻蝕設備 | * | A* 半導體器件參數測量儀 | 南京大學擬采購IBE離子束刻蝕設備一套，要求：1.配備LL傳送腔，反應腔室極限真空＜7*10e-7torr,腔室漏率＜1mTorr/min;2.配備8英寸下電極，下電極溫度范圍5~35℃，溫度均勻性≤5%設定值；3.下電極轉動角度范圍-90~80°，step 1°；下電極自轉轉速范圍0~20rpm;4.離子束電流范圍0~1000mA,離子束能量100~1000eV;射頻電源最大功率1000W；5.雙 (略) ，中和器電流0~1500mA6.刻蝕速率＞100A/min，片內片間均勻性＜5%。質保期：1年。 | 560 | 2024年11月 | |
| 31 | 低溫強磁場多功能物性測量系統 | * | A* 磁式分析儀 | 南京大學擬采購低溫強磁場多功能物性測量系統一套，要求：1.系統采用閉循環制冷，無需灌裝液氦或液氮等制冷液；2.制冷機類型及規格：脈沖管制冷；3.溫度范圍：1.9K-400K 連續變溫；4.降溫時間：從 300K 降至穩定在 1.9K ≤50min (典型值~40min)；5.溫度穩定性：±0.1% for T < 20K；±0.02% for T > 20K(典型值)；6.縱向磁體，最大磁場強度：±9T；7.掃描速度：0.1-200Oe/sec；8.從零場加至滿場所需時間：≤8分鐘；9.樣品托底座電學針腳：12個；10.樣品腔內徑：≤25.4mm。質保期：1年。 | 400 | 2024年11月 | |
| 32 | 8英寸金屬有機化學氣相沉積系統（MOCVD） | * | A* 真空獲得設備 | 南京大學擬采購8英寸金屬有機化學氣相沉積系統（MOCVD）一套，要求：具備GaN基半導體材料外延生長功能；具備多種襯底兼容能力2/4/6/8寸，其中6/8寸襯底為單腔單片生長模式。質保期1年。 | 1150 | 2024年11月 | |
| 33 | 紫外接觸式曝光機 | * | A* 半導體器件參數測量儀 | 南京大學擬采購紫外接觸式曝光機一臺，要求：用于化合物半導體晶圓的光刻圖案化，兼容8英寸及以下晶圓。質保期3年。 | 400 | 2024年11月 |
本次公開的采購意向是本單位政府采購工作的初步安排，具體采購項目情況以相關采購公告和采購文件為準。潛在供應商如擬介紹企業信息或產品信息，*@*ttp://**；郵件名稱務必為對應項目的“意向編號+采購項目名稱”。
南京大學招標辦公室
2024年07月19日
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