A*真空應用設備

一、離子束刻蝕系統 1臺，用于低維電子器件刻蝕 1、極限真空度：≤8.5×10-5； 2、樣品臺臺面為鈦合金材料，直徑為≥150mm；樣品臺自轉速率：0-20RPM； 3、離子能量可調范圍：0-1000eV；0-100mA。 二、手套箱2臺，用于低維材料的制備 1、內部尺寸長*寬*高≥1500*750*900mm； 2、水氧指標小于1ppm； 三、光學顯微鏡 2臺，用于二維材料與器件的制備 1、放大倍數：50X-1000X； 2、光學系統：無限遠色差校正光學系統，齊焦距離≤45mm，管鏡焦距≤180mm； 3、附帶旋轉臺和位移臺。 四、等離子體清洗機 1臺，用于二維材料與器件的制備 1、PLC工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式； 2、射頻頻率13.56MHz，射頻功率10-150W無極可調； 五、真空管式退火爐系統，用于低能耗電子器件制造 1、極限真空度：空載冷態5×10-5Pa； 2、使用溫度：1200℃；溫控形式：SSR智能PID可編程 六、磁控濺射與反濺系統，1臺 1、反濺樣品臺：四工位樣品臺1套，手動旋轉，帶反濺清洗功能，配備射頻電源同軸接口；配套射頻電源1套； 2、可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩定、模塊化結構樣品，可制備金屬膜，金、鉑、Ti和Cr等； 3、腔體極限真空度：6.6×10-5Pa； 七、交流磁化率測試模塊,1臺 1、適用于直流磁化率和交流磁化率測量； 2、直線電機行程范圍12cm； 3、靈敏度：1X10-8 emu/Oe； 4、Cernox 1050溫度計和低溫加熱器； 5、與PPMS兼容； 八、二次諧波共聚焦偏振拉曼光譜系統，1套 1、正置明場顯微鏡； 2、Omni-λ系列320mm焦距光譜儀； 3、激光模組； 4、顯 (略) ； 5、物鏡； 九、CCD探測器，1臺 2000x256像元，15um像素，30x3.8mm芯片尺寸；可見近紅外拉曼專用CCD，背照式深耗盡型芯片,量子效率在700nm-87 (略) 間處>90%；-60°深制冷 十、外接激光接口，1套 用于拓展外置激光器；所拓展激光器的光纖輸出接口為FC；包含單模光纖準直器； 十、線偏振起偏與檢偏器，1套 360°連續調節，絕對定位精度±0.14°，物鏡下消光比≥100:1，1/2玻片波段350-850nm消色差 十一、線偏振起偏器，1套 電動線偏振起偏，360°連續調節，絕對定位精度±0.14°，物鏡下消光比≥100:1，1/2玻波段690 - 1200 nm消色差 十二、飛秒激光器，1臺 1030nm±3nm,平均功率大于100mW,36MHz±1MHz,光纖輸出，脈寬<150fs； (略) 中的低通濾光片和二倍頻帶通濾光片。